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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子
定価 ¥2,640
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商品詳細
| 内容紹介 | |
|---|---|
| 販売会社／発売会社 | CQ出版 |
| 発売年月日 | 2011/04/01 |
| JAN | 9784789836098 |
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際
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パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際
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商品レビュー
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1件のお客様レビュー
久しぶりにIGBTを学びなおそうと思い、手にとった。こういった参考書は何度も読み返すことでその時々でのアンテナが違っているので、重要な部分が違ってみえてくるので、再度手に取る価値があると思う。 今回、私が学びと感じたのは以下。 ・IGBTは（周波数20KHz付近で600V以上。...
久しぶりにIGBTを学びなおそうと思い、手にとった。こういった参考書は何度も読み返すことでその時々でのアンテナが違っているので、重要な部分が違ってみえてくるので、再度手に取る価値があると思う。 今回、私が学びと感じたのは以下。 ・IGBTは（周波数20KHz付近で600V以上。長所：電圧駆動。電導度変調効果で 耐圧あげている。短所：電導度変調効果でON電圧下げているので OFF時には溜まったキャリアを吐き出す必要があり、ドリフト層に 蓄積したキャリアが消滅するまでテール電流が流れる。 バイポーラトランジスタ（周波数低く、小容量向け。長所：Vce=0Vから 立ち上がるので低電流領域で損失小。 短所：電流駆動のため制御回路が効果） MOSFET（周波数高い100KHz、低電圧向け600V以下。 長所：電圧駆動のため制御回路が低損失、小型。 ドリフト層のキャリア蓄積ないのでSWを高速化できる。 短所：電流駆動のため制御回路が効果） の長所を合わせたもの。 ・IGBTはMOSFETのドレイン側（IGBTでは+コレクタ側）にp層追加したもの。 ・Rg増加によりSW時間減少、SW損UP（tf立下り時間は変化しない） ・ゲート-コレクタ容量Cres帰還容量 ・ゲート-エミッタ Cies入力容量 ・コレクタ-エミッタ Coes出力容量 ・Qgゲートチャージ容量
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