内容紹介	内容:強誘電体メモリーの現状と次世代型への期待石原宏著. 化学溶液堆積法による強誘電体薄膜の形成加藤一実著. MOCVD法による強誘電体薄膜の形成舟窪浩,渡辺隆之,酒井朋裕著. 減圧仮焼成法によるBi系強誘電体薄膜の形成藤崎芳久著. PZT系薄膜新材料の特性木島健著. Si添加強誘電体材料の特性井手本康著. 強誘電体メモリーの基本動作と信頼性嶋田恭博著. 強誘電体メモリーインテグレーション有本由弘,田村哲朗著. 連鎖型強誘電体メモリー(chain FeRAM) 高島大三郎著. 強誘電体ロジック回路淵上貴昭著. 韓国における強誘電体メモリーの現状兪炳坤,尹聖民著. 強誘電体メモリーの応用桝井昇一著. 非線形誘電率顕微鏡を用いた超高密度強誘電体記録長康雄,平永良臣著
販売会社／発売会社	シーエムシー出版/
発売年月日	2004/02/26 改訂版・発行年月日について
JAN	9784882318194

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強誘電体メモリーの新展開

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