図解入門 よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み 第3版 の商品レビュー

佐藤淳一(著者)

2022/07/01

第1章 パワー半導体の全貌を俯瞰する
　1-1 そもそもパワー半導体とは何か？
　1-2 パワー半導体を人体にたとえると？
　1-3 身近なパワー半導体の使用例
　1-4 電子情報産業の中でのパワー半導体の位置付け
　1-5 半導体デバイスの中でのパワー半導体
　1-6 トランジスタ構造の違い

第2章 パワー半導体の基本と動作
　2-1 半導体の基本と動作
　2-2 p-n接合の話
　2-3 トランジスタの基本と動作
　2-4 バイポーラ型の基本と動作
　2-5 MOS型の基本と動作
　2-6 パワー半導体の歴史を振り返る
　2-7 パワーMOSFETの登場
　コラム 片面と両面
　2-8 バイポーラとMOSの融合体IGBTの登場
　2-9 信号の変換との比較

第3章 各種パワー半導体動作と役割
　3-1 一方通行のダイオード
　3-2 大電流のバイポーラトランジスタ
　3-3 双安定なサイリスタ
　3-4 高速動作のパワーMOSFET
　3-5 エコ時代のIGBT
　3-6 パワー半導体の課題を探る

第4章 パワー半導体の用途と市場
　4-1 パワー半導体の市場規模
　4-2 電力インフラとパワー半導体
　4-3 交通インフラとパワー半導体
　4-4 自動車とパワー半導体
　4-5 情報・通信とパワー半導体
　4-6 家電とパワー半導体

第5章 パワー半導体の分類
　5-1 用途で分類したパワー半導体
　5-2 材料で分類したパワー半導体
　5-3 構造・原理で分類したパワー半導体
　5-4 容量で見たパワー半導体

第6章 パワー半導体用シリコンウェーハ
　6-1 シリコンウェーハとは？
　6-2 シリコンウェーハの作製法の違い
　6-3 FZ結晶の特徴
　6-4 なぜFZ結晶が必要か？
　6-5 シリコンの限界とは？

第7章 パワー半導体プロセスの特徴
　7-1 パワー半導体とMOS LSIの違い
　7-2 構造の工夫
　7-3 エピタキシャル成長を多用
　7-4 裏と表からの露光プロセス
　コラム アライナー窶且vい出
　7-5 裏面の活性化はどうするのか？
　7-6 ウェーハの薄化プロセスとは？
　7-7 後工程と前工程との違い
　7-8 ダイシングもちょっと異なる
　7-9 ダイボンディングの特徴
　7-10 ボンディング用のワイヤも太くなる
　7-11 封止材料も変化

第8章 パワー半導体メーカの紹介
　8-1 脱ロードマップ時代の到来
　コラム ロードマップはペースメーカ
　8-2 勢いのある“日の丸”パワー半導体
　8-3 垂直統合モデルが残る総合電機メーカ
　8-4 専業メーカが生き残る？
　8-5 欧州メーカは垂直統合型？
　コラム 創業者の名前を社名に
　8-6 米国メーカの動向

第9章 シリコンパワー半導体の発展
　9-1 パワー半導体の世代とは？
　9-2 IGBTに求められる性能
　9-3 パンチスルーとノンパンチスルー
　9-4 フィールドストップ型の登場
　9-5 IGBT型の発展形を探る
　9-6 IPM化が進むパワー半導体
　9-7 冷却とパワー半導体

第10章 シリコンの限界に挑むSiCとGaN
　10-1 8インチ径も出てきたSiCウェーハ
　10-2 SiCウェーハの製造方法
　10-3 SiCのメリットと課題とは？
　10-4 実用化が進むSiCインバータ
　10-5 GaNウェーハの難しさ―ヘテロエピとは？
　10-6 GaNのメリットと課題
　10-7 GaNでノーマリーオフへ挑戦！
　10-8 ウェーハメーカの動向
　コラム 時代は巡る

第11章 パワー半導体が拓く脱炭素時代
　11-1 脱炭素時代とパワー半導体
　11-2 再生可能エネルギーに欠かせないパワー半導体
　11-3 スマートグリッドとパワー半導体
　11-4 電気自動車（EV）とパワーデバイス
　11-5 21世紀型交通インフラとパワー半導体
　11-6 期待される横断的テクノロジーとしてのパワー半導体
　コラム 素材、キーデバイスの生き残り